Версия для печати
Технические характеристики PIC16F876-20I/SP

Корпус (размер)	28-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип осцилятора	External
Преобразователи данных	A/D 5x10b
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	4 V ~ 5.5 V
Размер памяти	368 x 8
EEPROM Size	256 x 8
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер программируемой памяти	14KB (8K x 14)
Число вводов/выводов	22
Периферия	Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Скорость	20MHz
Подключения	I²C, SPI, UART/USART
Размер ядра	8-Bit
Процессор	PIC
Серия	PIC® 16F
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

8-bit CMOS FLASH Microcontroller (4K Flash, 5 chan 10 bit ADC) PIC16F876-20I/SP datasheet 3,73MB 218стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CA56-21GWA		Сегментный светодиод, 4 знака, общий анод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...	KB	168	426.31
		CA56-21GWA		Сегментный светодиод, 4 знака, общий анод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...	KINGBRIGHT
		CA56-21GWA		Сегментный светодиод, 4 знака, общий анод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...			173.80
		CA56-21GWA		Сегментный светодиод, 4 знака, общий анод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...	KGB
		CA56-21GWA		Сегментный светодиод, 4 знака, общий анод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CA56-21GWA		Сегментный светодиод, 4 знака, общий анод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CA56-21GWA		Сегментный светодиод, 4 знака, общий анод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...	КИТАЙ
		CR-0.5-18К 5%			CHINA
		CR-0.5-18К 5%					1.28
		DA03-11GWA		Сегментный светодиод	KB
		DA03-11GWA		Сегментный светодиод	KINGBRIGHT
		DA03-11GWA		Сегментный светодиод			61.20
		DA03-11GWA		Сегментный светодиод	КИТАЙ
		IRF7103		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7103		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)			47.92
		IRF7103		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7103		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)	ТАИЛАНД
		IRF7103		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)	INFINEON
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS	80	34.02
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS		8	75.60
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	STMICROELECTRONICS
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	КИТАЙ
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	МАЛАЙЗИЯ
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTR
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST1
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRO
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	1
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	4-7 НЕДЕЛЬ	749

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"