| Корпус (размер) | 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 3 V ~ 5.5 V |
| Размер памяти | 224 x 8 |
| EEPROM Size | 128 x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 3.5KB (2K x 14) |
| Число вводов/выводов | 16 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Подключения | UART/USART |
| Скорость | 20MHz |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Процессор | PIC |
| Серия | PIC® 16F |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
CAY16-330J4 |
|
4х33 Ом, ЧИП резисторная сборка (SMD)
|
BOURNS
|
3
|
0.78
>500 шт. 0.26
|
|
|
|
|
CAY16-330J4 |
|
4х33 Ом, ЧИП резисторная сборка (SMD)
|
BOURNS
|
21 538
|
|
|
|
|
CC1206ZRY5V9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ Y5V (+80-20%) 1206
|
YAGEO
|
47 051
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
CC1206ZRY5V9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ Y5V (+80-20%) 1206
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206ZRY5V9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ Y5V (+80-20%) 1206
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206ZRY5V9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ Y5V (+80-20%) 1206
|
|
|
|
|
|
|
CC1206ZRY5V9BB224 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ Y5V (+80-20%) 1206
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC1206ZRY5V9BB224 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ Y5V (+80-20%) 1206
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206ZRY5V9BB224 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ Y5V (+80-20%) 1206
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206ZRY5V9BB224 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ Y5V (+80-20%) 1206
|
|
|
|
|
|
|
IR2101S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
206.91
|
|
|
|
IR2101S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.
|
|
|
126.08
|
|
|
|
IR2101S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2101S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2101S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.
|
1
|
|
|
|
|
|
IR2101S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
707
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
81.20
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
|
15
|
79.55
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
24
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
MINOS
|
26
|
20.30
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
EVVO
|
11 667
|
12.71
|
|