| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
ANALOG DEVICES
|
7 712
|
49.59
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
|
641
|
113.40
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
-----
|
|
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
YOUTAI
|
33 502
|
18.38
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
UMW
|
6 320
|
19.63
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
1
|
|
|
|
|
|
ADM485ARZ |
|
RS-485 трансивер, полудуплекс, 5М бит/с, Uп=5В, 10/25нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
459
|
|
|
|
|
|
ADR421ARZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADR421ARZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
|
|
760.00
|
|
|
|
|
ADR421ARZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADR421ARZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADR421ARZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADR421ARZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
745
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
2 513
|
2.12
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DC COMPONENTS
|
23 966
|
1.59
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIOTEC
|
35 158
|
1.90
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
337
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
OTHER
|
1 165
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
552
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
|
|
3.00
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
59
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
1 439
|
1.18
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
2 164
|
2.12
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
268
|
1.62
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
66 471
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
203 864
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
165 435
|
2.24
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SUNTAN
|
245
|
1.03
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KEEN SIDE
|
57 068
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
2705
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
200
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
10.93
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
|
839
|
15.12
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
БРЯНСК
|
2 659
|
8.48
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
МИНСК
|
966
|
8.48
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
1243
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
3399
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
5
|
|
|
|
|
|
КТ683А |
|
|
|
408
|
34.41
|
|
|
|
КТ683А |
|
|
КРЕМНИЙ
|
271
|
32.79
|
|
|
|
КТ683А |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|