| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 45mA |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 25A |
| Current - On State (It (AV)) (Max) | 16A |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.25V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2V |
| Voltage - Off State | 1200V |
| SCR Type | Sensitive Gate |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 100mA |
| Current - Off State (Max) | 500µA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 350A @ 50Hz |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220AB Full-Pak |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DC COMPONENTS
|
19 584
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DIOTEC
|
5 608
|
1.57
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIC
|
4
|
1.03
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
5 698
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
|
64 540
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YJ
|
2 528
|
1.05
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SUNTAN
|
512
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIG
|
7 920
|
1.05
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PANJIT
|
22
|
1.16
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ЛЕНТА/КАТУШКА
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
WUXI XUYANG
|
5 712
|
1.88
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SEMTECH
|
16 115
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YIXING
|
4 000
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
AP4525GEH |
|
Сдвоенный P и N-канальный транзистор
|
APEC
|
|
|
|
|
|
AP4525GEH |
|
Сдвоенный P и N-канальный транзистор
|
|
|
284.80
|
|
|
|
AP4525GEH |
|
Сдвоенный P и N-канальный транзистор
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
AP4525GEH |
|
Сдвоенный P и N-канальный транзистор
|
ADVANCED POWER
|
|
|
|
|
|
AP4525GEH |
|
Сдвоенный P и N-канальный транзистор
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
180
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
|
24
|
20.80
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
7.26
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
5
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
OTHER
|
266
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
DC COMPONENTS
|
60 113
|
2.17
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
PHILIPS
|
7 248
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONICS
|
6 256
|
1.06
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KEEN SIDE
|
326
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
|
2 812
|
266.80
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
НЗПП
|
250
|
278.96
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
ДНЕПР
|
|
|
|