BF998,215
|
MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | N-Channel Dual Gate |
| Частота | 200MHz |
| Frequency | 200MHz |
| Voltage - Test | 8V |
| Current Rating | 30mA |
| Noise Figure | 0.6dB |
| Current - Test | 10mA |
| Номинальное напряжение | 12V |
| Корпус (размер) | TO-253-4, TO-253AA |
| Корпус | SOT-143B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
AD8307AR | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
|
|
|
AD8307AR |
|
1 130.56 | ||||
|
|
|
AD8307AR | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
|
|
|
AD8307AR | Analog Devices Inc |
|
|
|||
|
|
|
AD8307AR | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||
 |
SDR0604-4R7ML |
|
Индуктивность 4,7мкГн SMD 5,8x4,8mm | BOURNS |
|
|
||
|
|
SDR0604-4R7ML |
|
Индуктивность 4,7мкГн SMD 5,8x4,8mm |
|
69.60 | |||
 |
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... |
|
52.80 | |||
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | ФОТОН |
|
|
||
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||
 |
КП327Б | 1 | 40.02 | |||||
|
|
КП327Б | ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
КП327Б | RUS |
|
|
||||
|
|
КП327Б | ОКТЯБРЬ | 160 | 101.25 | ||||
 |
КП903В |
|
172.80 | |||||
|
|
КП903В | ПУЛЬСАР |
|
|
