IXSK30N60BD1

IGBT 55A 600V TO-264

Версия для печати

Технические характеристики IXSK30N60BD1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 55A
Current - Collector (Ic) (Max)	55A
Power - Max	200W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-264AA
Корпус	TO-247AD

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXSK30N60BD1 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AD8183ARUZ	2 MUX 2	ANALOG DEVICES	6	588.99
AD8183ARUZ	2 MUX 2	Analog Devices Inc
AD8183ARUZ	2 MUX 2
AD8183ARUZ	2 MUX 2	ANALOG
AD8183ARUZ	2 MUX 2	ANALOG DEVICES
HFA50PA60C	2UFAST 2x25А 600В	VISHAY
HFA50PA60C	2UFAST 2x25А 600В	INTERNATIONAL RECTIFIER
HFA50PA60C	2UFAST 2x25А 600В			680.00
HFA50PA60C	2UFAST 2x25А 600В	Vishay/Semiconductors
HFA50PA60C	2UFAST 2x25А 600В	VISHAY/IR
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz			377.52
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	МЕКСИКА
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	INFINEON
IRG4PF50WD	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PF50WD	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)			468.40
IRG4PF50WD	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)	МЕКСИКА
IRG4PF50WD	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)	INFINEON
ISL9K3060G3		Fairchild Semiconductor
ISL9K3060G3
ISL9K3060G3		ONS