|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
HFA50PA60C |
|
2UFAST 2x25А 600В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
HFA50PA60C |
|
2UFAST 2x25А 600В
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
HFA50PA60C |
|
2UFAST 2x25А 600В
|
|
|
680.00
|
|
|
|
HFA50PA60C |
|
2UFAST 2x25А 600В
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
HFA50PA60C |
|
2UFAST 2x25А 600В
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
|
|
377.52
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
|
|
468.40
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
ISL9K3060G3 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ISL9K3060G3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
ISL9K3060G3 |
|
|
ONS
|
3
|
617.10
|
|
|
|
SPW47N60C3 |
|
Полевой транзистор 600В 47А 70мОм
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPW47N60C3 |
|
Полевой транзистор 600В 47А 70мОм
|
|
|
1 445.88
|
|
|
|
SPW47N60C3 |
|
Полевой транзистор 600В 47А 70мОм
|
INFINEON
|
185
|
|
|
|
|
SPW47N60C3 |
|
Полевой транзистор 600В 47А 70мОм
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPW47N60C3 |
|
Полевой транзистор 600В 47А 70мОм
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
SPW47N60C3 |
|
Полевой транзистор 600В 47А 70мОм
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|