NTMFS4120NT1G


NTMFS4120NT1G (заказ)
NTMFS4120NT1G

Технические характеристики NTMFS4120NT1G

Gate Charge (Qg) @ Vgs50nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C11A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5 mOhm @ 26A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3600pF @ 24V
Power - Max900mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)5-DFN, SO8 FL
Корпус6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru