IPB26CNE8N G


Купить IPB26CNE8N G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPB26CNE8N G
Версия для печати

Технические характеристики IPB26CNE8N G

КорпусPG-TO-263
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажаПоверхностный
Power - Max71W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2070pF @ 40V
Gate Charge (Qg) @ Vgs31nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 39µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C35A
Drain to Source Voltage (Vdss)85V
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 35A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход