NTLJF3118NTAG


Купить NTLJF3118NTAG ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTLJF3118NTAG MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
Версия для печати

Технические характеристики NTLJF3118NTAG

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationProduct Discontinuation 04/April/2008
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureDiode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs3.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds271pF @ 10V
Power - Max700mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-WDFN Exposed Pad
Корпус6-WDFN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTLJF3118NTAG datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход