NTS2101PT1


Купить NTS2101PT1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTS2101PT1 MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
Версия для печати

Технические характеристики NTS2101PT1

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Product Change NotificationLTB Notification 08/Jan/2008
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.4A
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs6.4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds640pF @ 8V
Power - Max290mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-70, SOT-323
КорпусSC-70-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTS2101PT1 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход