NTMS4706NR2G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTMS4706NR2G (ON SEMICONDUCTOR.)	1 466	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики NTMS4706NR2G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 10.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	950pF @ 24V
Power - Max	830mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMS4706NR2G datasheet