NTLJS4159NT1G


Купить NTLJS4159NT1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTLJS4159NT1G MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN
Версия для печати

Технические характеристики NTLJS4159NT1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationProduct Discontinuation 03/Apr/2007
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs35 mOhm @ 2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1045pF @ 15V
Power - Max700mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-WDFN Exposed Pad
Корпус6-WDFN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTLJS4159NT1G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход