NTD65N03R-1G


Купить NTD65N03R-1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTD65N03R-1G MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
Версия для печати

Технические характеристики NTD65N03R-1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationLTB Notification
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9.5A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs16nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1400pF @ 20V
Power - Max1.3W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTD65N03R-1G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход