NTD60N02R-35G


Купить NTD60N02R-35G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTD60N02R-35G MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
Версия для печати

Технические характеристики NTD60N02R-35G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationLTB Notification
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8.5A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1330pF @ 20V
Power - Max1.25W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
КорпусI-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTD60N02R-35G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход