NTB65N02RG


NTB65N02RG (заказ)
NTB65N02RG MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK

Технические характеристики NTB65N02RG

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationProduct Discontinuation 09/Jan/2008
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7.6A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs9.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1330pF @ 20V
Power - Max1.04W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru