SPB80N10L G
|
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SIPMOS® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 58A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4540pF @ 25V |
| Power - Max | 250W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | P-TO263-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
