IPD640N06L G


Купить IPD640N06L G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPD640N06L G
Версия для печати

Технические характеристики IPD640N06L G

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs64 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C18A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 16µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds470pF @ 30V
Power - Max47W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусPG-TO252-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход