SPP80N06S2L-H5
|
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | OptiMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 80A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 230µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6640pF @ 25V |
| Power - Max | 300W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | P-TO220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
