SPI80N10L


Купить SPI80N10L ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SPI80N10L MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
Версия для печати

Технические характеристики SPI80N10L

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияSIPMOS®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 58A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C80A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 2mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4540pF @ 25V
Power - Max250W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
КорпусPG-TO262-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SPI80N10L datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход