SPD26N06S2L-35


Купить SPD26N06S2L-35 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SPD26N06S2L-35 MOSFET N-CH 55V 30A DPAK MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики SPD26N06S2L-35

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs35 mOhm @ 13A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C30A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 26µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds790pF @ 25V
Power - Max68W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусP-TO252-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SPD26N06S2L-35 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход