SPB80N03S2L-04 G


Купить SPB80N03S2L-04 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SPB80N03S2L-04 G MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики SPB80N03S2L-04 G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9 mOhm @ 80A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C80A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 130µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs105nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3900pF @ 25V
Power - Max188W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусP-TO263-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SPB80N03S2L-04 G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход