SPB10N10 G
|
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SIPMOS® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 21µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 426pF @ 25V |
| Power - Max | 50W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | P-TO263-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
