IPI80N06S3L-05
|
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | OptiMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 69A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 115µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 273nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 13060pF @ 25V |
| Power - Max | 165W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Корпус | PG-TO262-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
