IPB13N03LB


Купить IPB13N03LB ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPB13N03LB MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики IPB13N03LB

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C30A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs11nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1355pF @ 15V
Power - Max52W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусP-TO263-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPB13N03LB datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход