IPB10N03LB


Купить IPB10N03LB ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPB10N03LB MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики IPB10N03LB

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.6 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C50A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs13nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1639pF @ 15V
Power - Max58W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-4, D²Pak (3 leads + Tab), TO-263AA
КорпусPG-TO263-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPB10N03LB datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход