IPB04N03LB


Купить IPB04N03LB ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPB04N03LB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики IPB04N03LB

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5 mOhm @ 55A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C80A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 70µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs40nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5203pF @ 15V
Power - Max107W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусPG-TO263-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPB04N03LB datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход