BSP149 E6906
|
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | SIPMOS® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Depletion Mode |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 660mA, 10v |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 660mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 430pF @ 25V |
| Power - Max | 1.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | PG-SOT223-4 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
