BSC022N03S


Купить BSC022N03S ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSC022N03S MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
Версия для печати

Технические характеристики BSC022N03S

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C50A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs58nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds7490pF @ 15V
Power - Max104W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PowerVDFN
КорпусP-TDSON-8 (5.15x6.15)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


BSC022N03S datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход