IPB09N03LAT


Купить IPB09N03LAT ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPB09N03LAT MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики IPB09N03LAT

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.9 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C50A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs13nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1642pF @ 15V
Power - Max63W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусPG-TO263-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPB09N03LAT datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход