NTMS4101PR2
|
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3200pF @ 10V |
| Power - Max | 1.38W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
