BSP296E6327
|
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | SIPMOS® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 1.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 364pF @ 25V |
| Power - Max | 1.79W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | PG-SOT223-4 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
