TPCS8007-H(TE12L,Q


Купить TPCS8007-H(TE12L,Q ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
TPCS8007-H(TE12L,Q MOSFET N-CH 200V 1.9A 8-TSSOP MOSFET N-CH 200V 1.9A 8-TSSOP
Версия для печати

Технические характеристики TPCS8007-H(TE12L,Q

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs450 mOhm @ 900mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds600pF @ 10V
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)2-3R1F
Корпус8-TSSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


TPCS8007-H(TE12L,Q datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход