HAT2200WP
|
MOSFET N-CH 100V 20A WPAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2300pF @ 10V |
| Power - Max | 20W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerWDFN |
| Корпус | 8-WPAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
