IRF7809PBF
|
MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 28V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
