IRF6602


Купить IRF6602 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF6602 MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
Версия для печати

Технические характеристики IRF6602

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Other Related DocumentsDirectFET MOSFET 4Ps Checklist
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs13 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C11A
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1420pF @ 10V
Power - Max2.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DirectFET™ Isometric MQ
КорпусDIRECTFET™ MQ
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRF6602 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход