IRF6601


Купить IRF6601 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF6601 MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
Версия для печати

Технические характеристики IRF6601

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Other Related DocumentsDirectFET MOSFET 4Ps Checklist
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C26A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs45nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3440pF @ 15V
Power - Max3.6W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DirectFET™ Isometric MT
КорпусDIRECTFET™ MT
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRF6601 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход