IRF7203TR
|
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.3A |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 750pF @ 20V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
