SI4823DY-T1-GE3


Купить SI4823DY-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI4823DY-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 8-SOIC MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SI4823DY-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияLITTLE FOOT®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureDiode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds660pF @ 10V
Power - Max2.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход