SI5481DU-T1-E3


Купить SI5481DU-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI5481DU-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Версия для печати

Технические характеристики SI5481DU-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C12A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs50nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1610pF @ 10V
Power - Max17.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® ChipFET™ Single
КорпусPowerPAK® ChipFet Single
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI5481DU-T1-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход