SI1065X-T1-E3
|
MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
|
Версия для печати
Технические характеристики SI1065X-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 1.18A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10.8nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 480pF @ 6V |
| Power - Max | 236mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-563 |
| Корпус | SC-89-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
