PHM30NQ10T,518
|
MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 37.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 53.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| Power - Max | 62.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-VDFN Exposed Pad |
| Корпус | 8-HVSON |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
