IRFB9N30APBF


Купить IRFB9N30APBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFB9N30APBF MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
Версия для печати

Технические характеристики IRFB9N30APBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs450 mOhm @ 5.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9.3A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds920pF @ 25V
Power - Max96W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRFB9N30APBF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход