IRFZ34ES


IRFZ34ES (заказ)
IRFZ34ES MOSFET N-CH 60V 28A D2PAK MOSFET N-CH 60V 28A D2PAK

Технические характеристики IRFZ34ES

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs42 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C28A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds680pF @ 25V
Power - Max68W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru