IRF620S
N-канальный 200В 5.2А
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 260pF @ 25V |
| Power - Max | 3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF620S (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK215 |
|
N-MOS 180V, 0.5A, W (Comp. 2SJ78) |
|
400.00 | ||||
| 2SK215 |
|
N-MOS 180V, 0.5A, W (Comp. 2SJ78) | RENESAS |
|
|
|||
| 2SK215 |
|
N-MOS 180V, 0.5A, W (Comp. 2SJ78) | HITACHI |
|
|
|||
| 2SK215 |
|
N-MOS 180V, 0.5A, W (Comp. 2SJ78) | HIT |
|
|
|||
| BZV85C18 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 18V | VISHAY |
|
|
|||
| BZV85C18 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 18V |
|
|
||||
| BZV85C18 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 18V | GOOD-ARK |
|
|
|||
| BZV85C18 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 18V | PHILIPS | 4 677 | 4.24 | |||
| BZV85C18 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 18V | KLS |
|
|
|||
| BZV85C18 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 18V | PH/NXP |
|
|
|||
| MF-100-1-6.2КJ | HITANO |
|
|
|||||
| MF-100-1-6.2КJ | FAITHFUL LINK |
|
|
|||||
| MF-200-2-0.22J | HITANO |
|
|
|||||
| MF-200-2-0.22J | FAITHFUL LINK |
|
|
|||||
| MF-200-2-1J | FAITHFUL LINK |
|
|
|||||
| MF-200-2-1J | HITANO |
|
|
