IRF620S
N-канальный 200В 5.2А
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 260pF @ 25V |
| Power - Max | 3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF620S (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C). | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C). | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C). | EIC | 2 400 | 14.60 | |
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C). | 5 | 18.50 | ||
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C). | Vishay/Semiconductors |
|
|
|
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C). | КИТАЙ |
|
|
|
| MBR350TR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| MBR350TR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| MBR350TR | Vishay/Semiconductors |
|
|
|||||
| MF-100-1-1МF | HITANO |
|
|
|||||
| MF-100-1-2.4КJ | HITANO |
|
|
|||||
| MF-100-1-2.4КJ | FAITHFUL LINK |
|
|
|||||
| MUR4100ERLG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MUR4100ERLG |
|
|
||||||
| MUR4100ERLG | ONS | 271 | 59.83 | |||||
| MUR4100ERLG | ON SEMICONDUCTOR | 346 |
|
|||||
| MUR4100ERLG | ON SEMICONDUCTO |
|
|
