IRF840S
Транзистор полевой SMD
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF840S (Дискретные сигналы) 500V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF840STRL
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 74LVC2G14DBV | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| 74LVC2G14DBV | FAIR |
|
|
|||||
| 74LVC2G14DBV |
|
24.00 | ||||||
| 74LVC2G14DBV | TEXAS |
|
|
|||||
| 74LVC2G14DBV | КИТАЙ |
|
|
|||||
| 74LVC2G14DBV | 4-7 НЕДЕЛЬ | 512 |
|
|||||
| LM3430SD | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM3430SD |
|
728.00 | ||||||
| LM3430SD | 4-7 НЕДЕЛЬ | 134 |
|
|||||
| LM5022MM | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM5022MM | 1 | 435.96 | ||||||
| LM5022MM | NSC |
|
|
|||||
| LM5022MM | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM5022MM | 4-7 НЕДЕЛЬ | 585 |
|
|||||
| STM32F103RGT6 | ST MICROELECTRONICS | 70 | 8 245.70 | |||||
| STM32F103RGT6 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STM32F103RGT6 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| STM32F103RGT6 | 49 | 584.60 | ||||||
| STM32F103RGT6 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| STM32F103RGT6 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 348 |
|
|||||
 |
КР1561КТ3 |
|
(CD4066BE) | 3 264 | 12.95 | |||
|
|
КР1561КТ3 |
|
(CD4066BE) | ВИННИЦА | 5 159 | 4.20 |
