FQD7N20TM_F080


Купить FQD7N20TM_F080 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQD7N20TM_F080 MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики FQD7N20TM_F080

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs690 mOhm @ 2.65A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQD7N20TM_F080 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход