FQA6N80_F109
|
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Product Discontinuation 09/Sept/2008 |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| Power - Max | 185W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-3PN |
| Корпус | TO-3PN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
