FDMS8660S
N-channel powertrench syncfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 25A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 113nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4345pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PQFN, Power56 |
| Корпус | Power56 |
| Product Change Notification | Plating Material Change 13/June/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDMS8660S (MOSFET) N-Channel PowerTrench SyncFET
Производитель:
|
