FQP4N90

Версия для печати

Технические характеристики FQP4N90

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1100pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP4N90 (MOSFET)

900V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP4N90 datasheet
633.7 Кб