FQE10N20LCTU
|
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V |
| Power - Max | 12.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-126-3 |
| Корпус | TO-126 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
